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# 電子機器スキャンのクイックスタート

> 電子機器の X 線 CT スキャンに関する実践的なガイダンス

X 線 CT は強力な非破壊検査手法ですが、一部の電子部品は X 線や電離放射線に敏感です。抵抗、コンデンサ、インダクタ、PCB 自体などの受動部品は電離放射線の影響を受けませんが、フラッシュメモリ、IMU、加速度センサーは **総電離線量（TID）** の影響を受けます。TID は受けた電離放射線の累積量を示し、電子しきい値の変化、漏れ電流、タイミング変化、機能障害を引き起こす可能性があります。許容線量はデバイスによって異なるため、直接テストで閾値を確認するのが最善です。電子機器をスキャンする際は、検査目的を達成しつつデバイス性能への影響を最小化するために TID を理解することが重要です。  

線量は以下を含む複数要因に依存します。

*  スキャナーの線源エネルギー
*  スキャン時間
*  スキャン回数
*  部品と線源の距離
*  使用するフィルター量

線量率は高倍率（線源と対象の距離が短い）かつ高エネルギーで最大になり、低倍率（距離が長い）かつ低エネルギーで最小になります。以下のチャートは、能動電子デバイスの主要材料であるシリコンの吸収率を示し、倍率と線源エネルギーごとの吸収線量率の目安になります。   

<img height="200" src="https://mintcdn.com/lumafield/iD2sgKuz7BoMpq7k/images/electronics-1.jpg?fit=max&auto=format&n=iD2sgKuz7BoMpq7k&q=85&s=3dd36acafe0e6c1be956b3f8c9b2bda6" data-path="images/electronics-1.jpg" />

*図 1. 190 kV と 120 kV の Neptune における電子機器の吸収線量率*

以下の表は、一般的な電子デバイスの TID しきい値の目安です。

|                 |                      |
| --------------- | -------------------- |
| **半導体デバイスの種類**  | **総電離線量しきい値（krads）** |
| Linear          | 2-50                 |
| Mixed Signal    | 2-50                 |
| Flash Memory    | 5-15                 |
| DRAM            | 15-50                |
| Microprocessors | 15-70                |

*図 2. 表面実装フラッシュ IC の X 線検査の考慮事項。Infineon Technologies 001-98522 Rev. \*C [ref](https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-AN98522_X-ray_Inspection_Considerations_for_Surface-Mounted_Flash_ICs-ApplicationNotes-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7cdc391c017d0742926a65a4)。*

<h3 id="guidance-for-scanning-electronics">
  電子機器スキャンのガイダンス:
</h3>

* 実務では、マルチマテリアル組立で生じるアーティファクトを抑えるため、ある程度のフィルタリングを行うことが一般的です。フィルタリングにより X 線量が減少し線量が下がりますが、通常はスキャン時間が長くなります。上記チャートを参考に、フィルタリングの影響を把握してください。
* 倍率を上げると線量は増えますが、微細特徴の解像度が向上し、再スキャンが必要になるリスクを減らせます。
* 部品を位置決めしたら、自動スキャン でスキャン時間を設定して他のパラメータを決定します。上記チャートと合わせてスキャン時間を設定することで、デバイスの TID を制御できます。

<h3 id="will-my-device-be-safe-a-worked-example">
  デバイスは安全か？ 実例
</h3>

上表のとおり、デバイスごとに TID しきい値は大きく異なります。可能であれば、電子デバイスに対する X 線の影響を最も確実に評価する方法は、TID 限界を実験的に求めることです。以下の実例をご覧ください。 

**デバイス:** フラッシュドライブ

**スキャン条件:**

* スキャナー構成: 190 kV
* 線源から対象までの距離: 200 mm
* フィルター: 0.5 mm 銅
* スキャン時間: 3 時間

**手順:**

1. 上記の線量吸収チャートを使って、スキャン条件での線量を算出します。この例では、190 kV Neptune、線源距離 200 mm、0.5 mm 銅フィルターです。吸収線量率は約 2 krad/hr となります。3 時間のスキャンでは 3 hr \* 2 krad/hr = 6 krad となります。
   <img height="200" src="https://mintcdn.com/lumafield/iD2sgKuz7BoMpq7k/images/electronics-2.jpg?fit=max&auto=format&n=iD2sgKuz7BoMpq7k&q=85&s=0bb785db280f0f830d47d8354c793efc" data-path="images/electronics-2.jpg" />
   *図 3. 190 kV の吸収率プロットを用いて、想定スキャン条件の吸収線量率を特定する例*
2. デバイスを 1 krad 単位でスキャンし、その間に機能テストを実施します。この例では 30 分ごとのスキャンとなります。
3. 機能テストで失敗するまで繰り返します。失敗時の TID が実験的に得られた線量限界となり、安全マージンを加えるべきです。このマージンは、同様の手順を繰り返して統計的に求めることができます。 

***ご不明点があれば、いつでも [support@lumafield.com](mailto:support@lumafield.com) までご連絡ください。***
