- Scanner 源能量
- 扫描持续时间
- 设备被扫描的次数
- 零件和源之间的距离
- 使用的过滤量

| 半导体器件类型 | 总电离剂量阈值(krads) |
| 线性 | 2-50 |
| 混合信号 | 2-50 |
| 闪存 | 5-15 |
| DRAM | 15-50 |
| 微处理器 | 15-70 |
扫描电子设备指南:
- 实际上,大多数电子设备扫描都会使用某种程度的过滤来减轻多材料组件产生的伪影。 过滤可减少用于扫描的 X 射线量,从而减少剂量,但使用过滤时通常需要更长的扫描时间。 请参阅上面的图表,了解过滤级别对扫描的影响。
- 虽然增加放大倍数会增加剂量,但它也会提高精细特征分辨率,并减少在第一次扫描无法解析目标特征时必须重复扫描的机会。
- 定位零件后,使用自动扫描设置扫描持续时间以查找其他扫描参数。 结合上面的图表设置扫描时间可以让您控制设备接收的 TID。
我的设备安全吗?一个有效的例子
从上表可以看出,许多设备的 TID 阈值差异很大。 虽然并非总是可行,但评估 X 射线对电子设备影响的最高置信度方法是通过实验找到 TID 限值。 请参阅此工作示例,了解如何通过实验确定 TID 阈值。 设备: 闪存驱动器 扫描条件:- Scanner 配置:190 kV
- 光源到物体距离:200 毫米
- 过滤器:0.5 毫米铜
- 扫描持续时间:3 小时
- 使用上面的剂量吸光度图确定扫描条件下的剂量。 在此示例中,扫描将在 190 kV Neptune 上进行,源到物距离为 200 mm,并使用 0.5 mm 的铜过滤。 这对应于大约 2 krad/hr 的吸收剂量率。 3 小时的扫描将产生 3 小时 * 2 krad/hr = 6 krad 的剂量。
