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# 掃描電子設備快速入門
> X 光 CT 掃描電子設備實用指南。
X 光 CT 是一種強大的無損檢測技術，但某些電子元件可能對 X 光和其他電離輻射敏感。 電阻器、電容器、電感器等被動電子元件和實際 PCB 本身不會受到電離輻射的影響，但快閃記憶體單元、IMU 和加速計都容易受到\_總電離劑量\_ (TID) 的影響，這是衡量它們所接收的電離輻射累積量的指標。 TID 會導致電子閾值漂移、漏電流、時序變化和功能故障。總劑量閾值因設備而異，因此最好透過直接測試來確定給定設備的劑量閾值。掃描電子產品時，了解 TID 執行掃描非常重要，這樣既可以實現給定的檢查，又可以最大程度地降低影響設備效能的風險。
劑量取決於多種因素，包括：
* 掃描源能量
* 掃描持續時間
* 設備被掃描的次數
* 零件與來源之間的距離
* 過濾用量
劑量率在高放大倍率（較小的源到物距）和高源能量時最高，而在低放大倍率（較大的源到物距）和低源能量時最低。 下圖顯示了矽（主動電子設備中的主要材料）的吸收率，可用於確定不同源能量在不同放大倍率下的吸收劑量率。
\_圖 1. 190 kV 和 120 kV Neptune 上電子設備的吸收劑量率。 \_
下表提供了常見電子設備 TID 閾值的一般指導。
| | |
| ----------- | ------------------ |
| **半導體裝置類型** | **總電離劑量閾值（krads）** |
| 線性 | 2-50 |
| 混合訊號 | 2-50 |
| 快閃記憶體 | 5-15 |
| DRAM | 15-50 |
| 微處理器 | 15-70 |
*如圖。 2 表面安裝快閃記憶體 IC 的 X 光檢查注意事項。英飛凌科技 001-98522 修訂版 \*C[參考](https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-AN98522_X-ray_Inspection_Considerations_for_Surface-Mounted_Flash_ICs-ApplicationNotes-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7cdc391c017d0742926a65a4).*
掃描電子設備指南：
* 實際上，大多數電子設備掃描都會使用某種程度的過濾來減輕多材料組件產生的偽影。 過濾可減少用於掃描的 X 射線量，從而減少劑量，但使用過濾時通常需要更長的掃描時間。 請參閱上面的圖表，以了解過濾等級對掃描的影響。
* 雖然增加放大倍率會增加劑量，但它也會提高精細特徵分辨率，並減少在第一次掃描無法解析目標特徵時必須重複掃描的機會。
* 定位零件後，使用自動掃描設定掃描持續時間以尋找其他掃描參數。 結合上面的圖表設定掃描時間可以讓您控制裝置接收的 TID。
我的設備安全嗎？一個有效的例子
從上表可以看出，許多設備的 TID 閾值差異很大。 雖然並非總是可行，但評估 X 射線對電子設備影響的最高置信度方法是透過實驗找到 TID 限值。 請參閱此工作範例，以了解如何透過實驗確定 TID 閾值。
**裝置：** 快閃磁碟機
**掃描條件：**
* 掃描器配置：190 kV
* 光源到物體距離：200 毫米
* 過濾器：0.5 毫米銅
* 掃描時間：3 小時
**程式:**
1. 使用上面的劑量吸光度圖表來確定掃描條件下的劑量。 在此範例中，掃描將在 190 kV Neptune 上進行，源到物距離為 200 mm，並使用 0.5 mm 的銅過濾器。 這對應於約 2 krad/hr 的吸收劑量率。 3 小時的掃描將產生 3 小時 \* 2 krad/hr = 6 krad 的劑量。
\_圖 3. 使用 190 kV 吸收率圖來確定預期掃描設定下的吸收劑量率。 \_
2. 以 1 krad 增量掃描設備，並在劑量之間對設備進行功能測試。 在此範例中，這表示以 30 分鐘的增量掃描設備。
3. 繼續，直到設備未通過功能測試。設備未通過測試的 TID 是實驗得出的劑量限值，應施加安全邊際。 此餘裕本身可以透過重複上述過程來建立有關設備 TID 的統計數據來透過實驗確定。
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